Влияние характера изменения температуры подложки в процессе роста на топологию поверхности пленки Ge/Si(100)

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Исследована возможность снижения шероховатости пленки Ge/Si (100) за счет использования низкотемпературного слоя германия (LT-Ge). Было показано, что характер изменения температуры подложки в процессе роста влияет на топологию поверхности выращенной пленки Ge/LT-Ge/Si. Образцы были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Об авторах

Л С Лунин

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

М Д Бавижев

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

И А Сысоев

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

В А Лапин

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

Д С Кулешов

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

Ф Ф Малявин

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

Список литературы

  2. Ismail K., Nelson S.F., Chu J.O., and Meyerson B.S. // Appl. Phys. Lett. 63, 660 (1993).
  3. Chen H., Guo L.W., Cui Q., Hu Q., Huang Q., and Zhou J.M. // J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
  4. Godet J., Pizzagalli L., Brochard S., Beauchamp P. // Phys. Rev. B, 70, 054 109 (2004).
  5. Bolkhovityanov Yu.B., Deryabin A.S., Gutakovskii A.K., Revenko M.A., Sokolov L.V. // Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004).
  6. Luan H.-C., Lim D.R., Lee K.K., Chen K.M., Sandland J.G., Wada K., Kimerling L.C. // Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999).
  7. Liu J., Kim H.J., Hul.ko O., Xie Y.H., Sahni S., Bandaru P., Yablonovitch E. // J. Appl. Phys., 96, 916 (2004).
  8. Halbwax M., Bouchier D., Yam V., D´ebarre D., Nguyen L.H., Zheng Y., Rosner P., Benamara M., Strunk H.P., Clers C. // Appl. Phys. Lett, 97, 064907-1 (2005).
  9. Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., Пчеляков О.П., Соколов Л.В. «Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава» // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, в. 1. - С. 3-22.
  10. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. // ФТП, 37, 513 (2003).
  11. Бурбаев Т.М., Заварицкая Т.Н., Курбатов В.А., Мельник Н.Н., Цветков В.А., Журавлев К.С., Марков В.А., Никифоров А.И. «Оптические свойства монослоев германия на кремнии» // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 8. - С. 979-984.
  12. Зенгуил Э. Физика поверхности. - М.: Мир, 1990.

Дополнительные файлы

Доп. файлы
Действие
1. JATS XML
Скачать

© Лунин Л.С., Бавижев М.Д., Сысоев И.А., Лапин В.А., Кулешов Д.С., Малявин Ф.Ф., 2012

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.