RUDN Journal of Engineering ResearchRUDN Journal of Engineering ResearchВестник Российского университета дружбы народов. Серия: Инженерные исследования2312-81432312-8151Peoples’ Friendship University of Russia named after Patrice Lumumba (RUDN University)5212ArticlesСтатьиThe influence of the substrate temperature change character during the growth on the topology of the Ge/Si(100) film surfaceВлияние характера изменения температуры подложки в процессе роста на топологию поверхности пленки Ge/Si(100)LuninL SЛунинЛ СЮжный научный центр РАН; Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН-BavizhevM DБавижевМ ДЮжный научный центр РАН; Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН-SysoevI AСысоевИ АЮжный научный центр РАН; Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН-LapinV AЛапинВ АЮжный научный центр РАН; Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН-KuleshovD SКулешовД СЮжный научный центр РАН; Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН-MalyavinF FМалявинФ ФЮжный научный центр РАН; Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН-Southern Scientific CenterЮжный научный центр РАН150320123NO3 (2012)№3 (2012)9810307092016Copyright ©; 2012, Лунин Л.С., Бавижев М.Д., Сысоев И.А., Лапин В.А., Кулешов Д.С., Малявин Ф.Ф.2012Лунин Л.С., Бавижев М.Д., Сысоев И.А., Лапин В.А., Кулешов Д.С., Малявин Ф.Ф.http://creativecommons.org/licenses/by/4.0https://journals.rudn.ru/engineering-researches/article/view/5212The possibility of roughness reducing of the Ge/Si (100) film using low-temperature layer of Ge (LT-Ge) has been investigated. It was shown that the substrate temperature change character during the growth process influences on the surface morphology of the grown Ge/LT-Ge/Si films. Samples were obtained by the method of molecular-beam epitaxy.Исследована возможность снижения шероховатости пленки Ge/Si (100) за счет использования низкотемпературного слоя германия (LT-Ge). Было показано, что характер изменения температуры подложки в процессе роста влияет на топологию поверхности выращенной пленки Ge/LT-Ge/Si. Образцы были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии.molecular beam epitaxygermaniumlow-temperature layeratomic force microscopyмолекулярно-лучевая эпитаксиягерманийнизкотемпературный слойатомно-силовая микроскопия1.Ismail K., Nelson S.F., Chu J.O., and Meyerson B.S. // Appl. Phys. Lett. 63, 660 (1993).2.Chen H., Guo L.W., Cui Q., Hu Q., Huang Q., and Zhou J.M. // J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).3.Godet J., Pizzagalli L., Brochard S., Beauchamp P. // Phys. Rev. B, 70, 054 109 (2004).4.Bolkhovityanov Yu.B., Deryabin A.S., Gutakovskii A.K., Revenko M.A., Sokolov L.V. // Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004).5.Luan H.-C., Lim D.R., Lee K.K., Chen K.M., Sandland J.G., Wada K., Kimerling L.C. // Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999).6.Liu J., Kim H.J., Hul.ko O., Xie Y.H., Sahni S., Bandaru P., Yablonovitch E. // J. Appl. Phys., 96, 916 (2004).7.Halbwax M., Bouchier D., Yam V., D´ebarre D., Nguyen L.H., Zheng Y., Rosner P., Benamara M., Strunk H.P., Clers C. // Appl. Phys. Lett, 97, 064907-1 (2005).8.Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., Пчеляков О.П., Соколов Л.В. «Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава» // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, в. 1. - С. 3-22.9.Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. // ФТП, 37, 513 (2003).10.Бурбаев Т.М., Заварицкая Т.Н., Курбатов В.А., Мельник Н.Н., Цветков В.А., Журавлев К.С., Марков В.А., Никифоров А.И. «Оптические свойства монослоев германия на кремнии» // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 8. - С. 979-984.11.Зенгуил Э. Физика поверхности. - М.: Мир, 1990.