Влияние характера изменения температуры подложки в процессе роста на топологию поверхности пленки Ge/Si(100)

Обложка

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Исследована возможность снижения шероховатости пленки Ge/Si (100) за счет использования низкотемпературного слоя германия (LT-Ge). Было показано, что характер изменения температуры подложки в процессе роста влияет на топологию поверхности выращенной пленки Ge/LT-Ge/Si. Образцы были получены методом молекулярно-лучевой эпитаксии.

Об авторах

Л С Лунин

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

М Д Бавижев

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

И А Сысоев

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

В А Лапин

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

Д С Кулешов

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

Ф Ф Малявин

Южный научный центр РАН

Южный научный центр РАН

Список литературы

  1. Ismail K., Nelson S.F., Chu J.O., and Meyerson B.S. // Appl. Phys. Lett. 63, 660 (1993).
  2. Chen H., Guo L.W., Cui Q., Hu Q., Huang Q., and Zhou J.M. // J. Appl. Phys. 79, 1167 (1996).
  3. Godet J., Pizzagalli L., Brochard S., Beauchamp P. // Phys. Rev. B, 70, 054 109 (2004).
  4. Bolkhovityanov Yu.B., Deryabin A.S., Gutakovskii A.K., Revenko M.A., Sokolov L.V. // Appl. Phys. Lett., 85, 6140 (2004).
  5. Luan H.-C., Lim D.R., Lee K.K., Chen K.M., Sandland J.G., Wada K., Kimerling L.C. // Appl. Phys. Lett., 75, 2909 (1999).
  6. Liu J., Kim H.J., Hul.ko O., Xie Y.H., Sahni S., Bandaru P., Yablonovitch E. // J. Appl. Phys., 96, 916 (2004).
  7. Halbwax M., Bouchier D., Yam V., D´ebarre D., Nguyen L.H., Zheng Y., Rosner P., Benamara M., Strunk H.P., Clers C. // Appl. Phys. Lett, 97, 064907-1 (2005).
  8. Болховитянов Ю.Б., Гутаковский А.К., Дерябин А.С., Пчеляков О.П., Соколов Л.В. «Возможности и основные принципы управления пластической релаксацией пленок GeSi/Si и Ge/Si ступенчато изменяемого состава» // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, в. 1. - С. 3-22.
  9. Болховитянов Ю.Б., Пчеляков О.П., Соколов Л.В., Чикичев С.И. // ФТП, 37, 513 (2003).
  10. Бурбаев Т.М., Заварицкая Т.Н., Курбатов В.А., Мельник Н.Н., Цветков В.А., Журавлев К.С., Марков В.А., Никифоров А.И. «Оптические свойства монослоев германия на кремнии» // Физика и техника полупроводников. - 2001. - Т. 35. - Вып. 8. - С. 979-984.
  11. Зенгуил Э. Физика поверхности. - М.: Мир, 1990.

© Лунин Л.С., Бавижев М.Д., Сысоев И.А., Лапин В.А., Кулешов Д.С., Малявин Ф.Ф., 2012

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах