Светодиодный холоэллипсометр с бинарной модуляцией поляризации рассеяния света одноосным двумерным кристаллом

Обложка
  • Авторы: Али М.1, Кирьянов А.П.2, Ковалёв В.И.3, Кваша И.В.4
  • Учреждения:
    1. Национальный исследовательский университет МГТУ им. Н.Э. Баумана
    2. Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН
    3. Филиал Института электроники и радиотехники им. В.А. Котельникова РАН
    4. Российский университет дружбы народов
  • Выпуск: № 2 (2013)
  • Страницы: 201-209
  • Раздел: Статьи
  • URL: https://journals.rudn.ru/miph/article/view/8544

Цитировать

Полный текст

Аннотация

Представлен холоэллипсометр почти нормального рассеяния света оптически одно-осным кристаллом с использованием бинарной модуляции поляризации света. Он актуален для топометрических систем, широко используемых в нанотехнологиях и медицине. Получены основные уравнения холоэллипсометрии нормального рассеяния света.

Об авторах

Мохаммед Али

Национальный исследовательский университет МГТУ им. Н.Э. Баумана

Email: mohammedali2206@gmail.com

Анатолий Павлович Кирьянов

Научно-технологический центр уникального приборостроения РАН

Email: kiryanov37@mail.ru

Виталий Иванович Ковалёв

Филиал Института электроники и радиотехники им. В.А. Котельникова РАН

Email: ellipsometry@yandex.ru

Ирина Викторовна Кваша

Российский университет дружбы народов

Список литературы

  2. Алфёров Ж.И. Нанотехнологии: перспективы развития в России // Наука Москвы и регионов. — 2007. — № 2. — С. 41–47.
  3. In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile tool for studying atomic layer deposition / E. Langereis, S. Heil, H. Knoops et al. // J.Phys.D: Appl.Phys. — 2009. — Vol. 42. – 073001.
  4. Конотопов М.В., Тебекин А.В. Концепция стратегии развития производственных технологий // Инновации и инвестиции. — 2007. — № 1 (9). — С. 2–15.
  5. Метрологические методики абсорбционной и люминесцентно-эмиссионной спектрометрической автоматизированной диагностики материалов и структур микро- и наноэлектроники / К.А. Валиев, Л.В. Великов, А.П. Кирьянов, Е.П. Ляшенко // Труды ФТИАН. Т. 15. «Ионно-лучевая обработка материалов в микро- и наноэлектронике». — М.: Наука, 1999. — 170 с.
  6. Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. — М.: Мир, 1981. — 584 с.
  7. Pemble M.E. NESSPIOM – Network for enhanced semiconductor surface processing through in situ optical monitoring // Surface and Interface Analysis. — 2001. — Vol. 31. — Pp. 1012–1016.
  8. Кирьянов А.П. Голоэллипсометрия in situ: основы и применения. — М.: МГУДТ, 2003. — 300 с.
  9. New high precision and high speed automatic ellipsometer with polarization switching for in situ control in semiconductor device technologies / V.I. Kovalev, A.I. Rukovishnikov, N.M. Rossukanyi, P.I. Perov // Physics of Semiconductor Devices. — New Delhi: Tata McGraw-Hill, 1991. — Pp. 244–249.
  10. Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. — М.: Наука, 1965. — 511 с.
  11. Elson J.M. Multilayer-coated optics: guided-wave coupling and scattering by means of interface random roughness // JOSA (A).—1995.—Vol. 12.—Pp. 729–742.
  12. Germer T.A., Fasolka M.J. Characterizing surface roughness of thin films by polarized light scattering // Proc. SPIE. — 2003. — Vol. 5188. — Pp. 264–275.
  13. Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. — М.: Наука, 1980. — 664 с.
  14. Борн М., Вульф Э. Основы оптики. — М.: Наука, 1980. — 856 с.
  15. Федоров Ф.И. Оптика анизотропных сред. — Минск, 1958. — 381 с.

© Али М., Кирьянов А.П., Ковалёв В.И., Кваша И.В., 2013

Creative Commons License
Эта статья доступна по лицензии Creative Commons Attribution 4.0 International License.

Данный сайт использует cookie-файлы

Продолжая использовать наш сайт, вы даете согласие на обработку файлов cookie, которые обеспечивают правильную работу сайта.

О куки-файлах