Discrete and Continuous Models and Applied Computational ScienceDiscrete and Continuous Models and Applied Computational ScienceDiscrete and Continuous Models and Applied Computational Science2658-46702658-7149Peoples' Friendship University of Russia named after Patrice Lumumba (RUDN University)8544ArticlesСтатьиResearch ArticleLight-Diode Holoellipsometer with Binary Modulation of Polarization Employing Light Scattering from Uniaxial Bi-Dimension CrystalСветодиодный холоэллипсометр с бинарной модуляцией поляризации рассеяния света одноосным двумерным кристалломAliMАлиМохаммедmohammedali2206@gmail.comKiryanovA PКирьяновАнатолий Павловичkiryanov37@mail.ruKovalevV IКовалёвВиталий Ивановичellipsometry@yandex.ruKvashaI VКвашаИрина ВикторовнаExperimental Physics Department-Bauman Moscow State Technical UniversityНациональный исследовательский университет МГТУ им. Н.Э. БауманаScientific and Technological Center for Unique Instrumentation of RASНаучно-технологический центр уникального приборостроения РАНDepartment of the Kotelnikov Institute of Electronics and Radiotechniques of RASФилиал Института электроники и радиотехники им. В.А. Котельникова РАНPeople‘s Friendship University of RussiaРоссийский университет дружбы народов150220132NO2 (2013)№2 (2013)20120908092016Copyright ©; 2013, Али М., Кирьянов А.П., Ковалёв В.И., Кваша И.В.2013Али М., Кирьянов А.П., Ковалёв В.И., Кваша И.В.http://creativecommons.org/licenses/by/4.0https://journals.rudn.ru/miph/article/view/8544A holoellipsometer with binary modulation of polarization employing almost normal light scattering by the sample representing itself an optically uniaxial crystal is presented. The device is actual for the tomometric tools which are widely used in nanotechnologies and medicine. The main equations of the holoellipsometry employing normal light scattering method are obtained.Представлен холоэллипсометр почти нормального рассеяния света оптически одно-осным кристаллом с использованием бинарной модуляции поляризации света. Он актуален для топометрических систем, широко используемых в нанотехнологиях и медицине. Получены основные уравнения холоэллипсометрии нормального рассеяния света.ellipsometrylight scatteringpolarizationuniaxial bi- dimensional crystalsхолоэллипсометриярассеяние светаполяризацияодноосные кристаллыхолоэллипсометриярассеяние светаполяризацияодноосные кристаллы[Алфёров Ж.И. Нанотехнологии: перспективы развития в России // Наука Москвы и регионов. — 2007. — № 2. — С. 41–47.][In situ spectroscopic ellipsometry as a versatile tool for studying atomic layer deposition / E. Langereis, S. Heil, H. Knoops et al. // J.Phys.D: Appl.Phys. — 2009. — Vol. 42. – 073001.][Конотопов М.В., Тебекин А.В. Концепция стратегии развития производственных технологий // Инновации и инвестиции. — 2007. — № 1 (9). — С. 2–15.][Метрологические методики абсорбционной и люминесцентно-эмиссионной спектрометрической автоматизированной диагностики материалов и структур микро- и наноэлектроники / К.А. Валиев, Л.В. Великов, А.П. Кирьянов, Е.П. Ляшенко // Труды ФТИАН. Т. 15. «Ионно-лучевая обработка материалов в микро- и наноэлектронике». — М.: Наука, 1999. — 170 с.][Аззам Р., Башара Н. Эллипсометрия и поляризованный свет. — М.: Мир, 1981. — 584 с.][Pemble M.E. NESSPIOM – Network for enhanced semiconductor surface processing through in situ optical monitoring // Surface and Interface Analysis. — 2001. — Vol. 31. — Pp. 1012–1016.][Кирьянов А.П. Голоэллипсометрия in situ: основы и применения. — М.: МГУДТ, 2003. — 300 с.][New high precision and high speed automatic ellipsometer with polarization switching for in situ control in semiconductor device technologies / V.I. Kovalev, A.I. Rukovishnikov, N.M. Rossukanyi, P.I. Perov // Physics of Semiconductor Devices. — New Delhi: Tata McGraw-Hill, 1991. — Pp. 244–249.][Фабелинский И.Л. Молекулярное рассеяние света. — М.: Наука, 1965. — 511 с.][Elson J.M. Multilayer-coated optics: guided-wave coupling and scattering by means of interface random roughness // JOSA (A).—1995.—Vol. 12.—Pp. 729–742.][Germer T.A., Fasolka M.J. Characterizing surface roughness of thin films by polarized light scattering // Proc. SPIE. — 2003. — Vol. 5188. — Pp. 264–275.][Ландау Л.Д., Лифшиц Е.М. Электродинамика сплошных сред. — М.: Наука, 1980. — 664 с.][Борн М., Вульф Э. Основы оптики. — М.: Наука, 1980. — 856 с.][Федоров Ф.И. Оптика анизотропных сред. — Минск, 1958. — 381 с.]