Фотоиндуцированная деградация параметров солнечных a-Si:H фотоэлементов

В результате многочисленных исследований было установлено, что гидронизированный аморфный кремний являетса наиболее подходящим материалом для изготовления недорогих солнечных фотоэлементов. Однако, широкому практическому применению фотопреобразователей на основе этого материала мешают их низкий коэффициент полезного действия и быстрая деградация параметров фотоэлементов под действием солнечного излучения. Влияние солнечного излучения на параметры фотопреобразователей проверяется как на многослойных, так и на однослойных рin структурах при различных интенсивностях света. Сравнивается стабильность параметров многослойных структур с однослойными. В работе изучалось влияние освещения на параметры гетероструктурных солнечных фотоэлементов на основе гидронизированного аморфного кремния. В экспериментах было установлено, что механизм деградации параметров pinpin структур отличается от механизма деградации параметров pin структур при толщине нижнего слоя более 400 нм. Было обнаружено, что при толщине нижнего слоя менее 400 нм заметного отличия в механизмах деградации не наблюдалось. Обсуждается механизм деградации параметров могослойных фотоэлементов. Предполагается, что в случае толстого нижнего слоя фотоэлемента коэффициент полезного дейсвия определяется как фактором заполнения, так и током короткого замыкания. Деградация токов короткого замыкания в солнечных фотоэлементах с тонким нижним слоем незначительна.

характер деградации, солнечные фотоэлементы, коэффициент заполнения, эффективность, ток короткого замыкания, напряжение разомкнутой цепи, фотогенерация, многослойные фотоэлементы