<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE root>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">Discrete and Continuous Models and Applied Computational Science</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="en">Discrete and Continuous Models and Applied Computational Science</journal-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Discrete and Continuous Models and Applied Computational Science</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn publication-format="print">2658-4670</issn><issn publication-format="electronic">2658-7149</issn><publisher><publisher-name xml:lang="en">Peoples' Friendship University of Russia named after Patrice Lumumba (RUDN University)</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="publisher-id">8816</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en"><subject>Articles</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="article-type"><subject>Research Article</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Illumination-Induced Degradation of a-Si:H Solar Cell Parameters</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Фотоиндуцированная деградация параметров солнечных a-Si:H фотоэлементов</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Kashirskiy</surname><given-names>I M</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Каширский</surname><given-names>Илья Михайлович</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="en">Department of General Physics</bio><bio xml:lang="ru">Кафедра общей физики</bio><email>ikachirski@yahoo.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Michael</surname><given-names>Y G</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Микаел</surname><given-names>Ешетила Габриель</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="en">Division of Natural and Social Sciences</bio><bio xml:lang="ru">Отделение естественных и социальных наук</bio><email>mostwired@yahoo.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff2"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff1"><aff><institution xml:lang="en">Peoples’ Friendship University of Russia</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Российский университет дружбы народов</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff2"><aff><institution xml:lang="en">Alemaya Unversity of Agriculture Diredawa</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Аграрный университет Алемая</institution></aff></aff-alternatives><pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2013-04-15" publication-format="electronic"><day>15</day><month>04</month><year>2013</year></pub-date><issue>4</issue><issue-title xml:lang="en">NO4 (2013)</issue-title><issue-title xml:lang="ru">№4 (2013)</issue-title><fpage>161</fpage><lpage>164</lpage><history><date date-type="received" iso-8601-date="2016-09-08"><day>08</day><month>09</month><year>2016</year></date></history><permissions><copyright-statement xml:lang="ru">Copyright ©; 2013, Каширский И.М., Микаел Е.Г.</copyright-statement><copyright-year>2013</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Каширский И.М., Микаел Е.Г.</copyright-holder><ali:free_to_read xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/"/><license><ali:license_ref xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/">http://creativecommons.org/licenses/by/4.0</ali:license_ref></license></permissions><self-uri xlink:href="https://journals.rudn.ru/miph/article/view/8816">https://journals.rudn.ru/miph/article/view/8816</self-uri><abstract xml:lang="en">Hydrogenated amorphous silicon is found to be a leading candidate for the fabrication of low cost solar cells. However presently there are two main factors that limit the large scale applications of a-Si:H solar cells as power sources. One of the central technological obstacle is the low conversion eﬃciency of the cells. The other obstacle for the large scale technological application of a-Si:H solar cells is degradation of critical material properties under the light exposure. In our experiments we have performed light soaking tests on pinpin structure samples to see if the stability of a-SI:H solar cells is improved in comparison with the stability of pin structures. The pattern of light induced degradation, i.e. the degree of degradation of a-Si:H pinpin solar cell parameters was studied on diﬀerent i-layer thickness using high intensity ( ∼10 AM 1.5) illumination. It was found that stacked cells do not show a uniform degradation pattern as in the case of single junction solar cells. In particular, the degradation in short-circuit current Isc of stacked cells shows a big diﬀerence for thick ( ∼500 nm) and thin ( ∼400 nm) pinpin cells. It was found the degradation of the stacked cells with thick bottom layers exhibit a degradation pattern similar to that of single junction cells, i.e. the degradation in eﬃciency comes from the ﬁll factor and the short circuit current, while open circuit voltage being degraded slightly. The degradation in short circuit current of cells with thin bottom layers is negligibly small.</abstract><trans-abstract xml:lang="ru">В результате многочисленных исследований было установлено, что гидронизированный аморфный кремний являетса наиболее подходящим материалом для изготовления недорогих солнечных фотоэлементов. Однако, широкому практическому применению фотопреобразователей на основе этого материала мешают их низкий коэффициент полезного действия и быстрая деградация параметров фотоэлементов под действием солнечного излучения. Влияние солнечного излучения на параметры фотопреобразователей проверяется как на многослойных, так и на однослойных рin структурах при различных интенсивностях света. Сравнивается стабильность параметров многослойных структур с однослойными. В работе изучалось влияние освещения на параметры гетероструктурных солнечных фотоэлементов на основе гидронизированного аморфного кремния. В экспериментах было установлено, что механизм деградации параметров pinpin структур отличается от механизма деградации параметров pin структур при толщине нижнего слоя более 400 нм. Было обнаружено, что при толщине нижнего слоя менее 400 нм заметного отличия в механизмах деградации не наблюдалось. Обсуждается механизм деградации параметров могослойных фотоэлементов. Предполагается, что в случае толстого нижнего слоя фотоэлемента коэффициент полезного дейсвия определяется как фактором заполнения, так и током короткого замыкания. Деградация токов короткого замыкания в солнечных фотоэлементах с тонким нижним слоем незначительна.</trans-abstract><kwd-group xml:lang="en"><kwd>pattern of degradation</kwd><kwd>solar cells</kwd><kwd>ﬁll factor</kwd><kwd>eﬃciency</kwd><kwd>short circuit current</kwd><kwd>open circuit voltage</kwd><kwd>photo-degradation</kwd><kwd>multi-junction cells</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>характер деградации</kwd><kwd>солнечные фотоэлементы</kwd><kwd>коэффициент заполнения</kwd><kwd>эффективность</kwd><kwd>ток короткого замыкания</kwd><kwd>напряжение разомкнутой цепи</kwd><kwd>фотогенерация</kwd><kwd>многослойные фотоэлементы</kwd></kwd-group></article-meta></front><body></body><back><ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation>Materials for Solar Cells / H. Yamagishi, N. Nisho, M. Kondo, Y. Tawada // Proc. 19-th IEEE Photovolt. Spec. Conf. — New Orleans, USA, 1987. — Pp. 127–139.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation>Sakata S., Hayashi Y. Single Junction Solar Cells // Proc. 18-th IEEE Trans. Electron Devices Conf. — 1985. — Pp. 551–559.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation>Michael Y.G., Kachirski I.M. Degradation of... and the Pattern of Degradation of a-Si:H // Proc. 4-th International Conf. on Thin Films Physics. — Shanghai, China, 2000. — Pp. 252–254.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation>Nisho N., Kondo M., Y.T. Multi-Junction Solar Cells // Proc. 21-st IEEE Photo-volt. Spec. Conf. — Orlando, USA, 1990. — Pp. 93–101.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation>Photovoltaic Effect in Stacked Solar Cells / S. Moriuchi, Y. Inoue, H. Sannomiya et al. // Proc. 21-st IEEE Photovolt. Spec. Conf. — Orlando, USA, 1990. — Pp. 57–81.</mixed-citation></ref></ref-list></back></article>
