<?xml version="1.0" encoding="UTF-8"?>
<!DOCTYPE root>
<article xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink" xmlns:xsi="http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance" xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/" article-type="research-article" dtd-version="1.2" xml:lang="en"><front><journal-meta><journal-id journal-id-type="publisher-id">Discrete and Continuous Models and Applied Computational Science</journal-id><journal-title-group><journal-title xml:lang="en">Discrete and Continuous Models and Applied Computational Science</journal-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Discrete and Continuous Models and Applied Computational Science</trans-title></trans-title-group></journal-title-group><issn publication-format="print">2658-4670</issn><issn publication-format="electronic">2658-7149</issn><publisher><publisher-name xml:lang="en">Peoples' Friendship University of Russia named after Patrice Lumumba (RUDN University)</publisher-name></publisher></journal-meta><article-meta><article-id pub-id-type="publisher-id">8277</article-id><article-categories><subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="en"><subject>Articles</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="toc-heading" xml:lang="ru"><subject>Статьи</subject></subj-group><subj-group subj-group-type="article-type"><subject>Research Article</subject></subj-group></article-categories><title-group><article-title xml:lang="en">Anisotropy and Low-Frequency Dynamics of Charge Transport in Single-Domain Crystals of LiCu                  2O                  2 at Low-Temperatures and Sound Frequencies</article-title><trans-title-group xml:lang="ru"><trans-title>Анизотропия и низкочастотная динамика зарядового транспорта в монодоменных кристаллах LiCu                  2O                  2 в области низких температур и звуковых частот</trans-title></trans-title-group></title-group><contrib-group><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Dau</surname><given-names>H S</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Дау</surname><given-names>Хьеу Ши</given-names></name></name-alternatives><bio xml:lang="en">Department of Applied Physics</bio><bio xml:lang="ru">Кафедра прикладной физики</bio><email>dausyhieu@gmail.com</email><xref ref-type="aff" rid="aff1"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Tishchenko</surname><given-names>E A</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Тищенко</surname><given-names>Эдуард Афанасьевич</given-names></name></name-alternatives><email>tishchenko@kapitza.ras.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff2"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Bush</surname><given-names>A A</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Буш</surname><given-names>Александр Андреевич</given-names></name></name-alternatives><email>aabush@yandex.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff3"/></contrib><contrib contrib-type="author"><name-alternatives><name xml:lang="en"><surname>Kamenzev</surname><given-names>K E</given-names></name><name xml:lang="ru"><surname>Каменцев</surname><given-names>Константин Евгеньевич</given-names></name></name-alternatives><email>kostya_KE@yandex.ru</email><xref ref-type="aff" rid="aff3"/></contrib></contrib-group><aff-alternatives id="aff1"><aff><institution xml:lang="en">Peoples’ Friendship University of Russia</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Российский университет дружбы народов</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff2"><aff><institution xml:lang="en">P.L. Kapitza Institute for Physical Problems</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Институт Физических проблем им. П.Л. Капицы</institution></aff></aff-alternatives><aff-alternatives id="aff3"><aff><institution xml:lang="en">Moscow State Institute of Radioengineering, Electronics, and Automation (Technical University)</institution></aff><aff><institution xml:lang="ru">Московский государственный институт радиотехники, электроники и автоматики</institution></aff></aff-alternatives><pub-date date-type="pub" iso-8601-date="2015-02-15" publication-format="electronic"><day>15</day><month>02</month><year>2015</year></pub-date><issue>2</issue><issue-title xml:lang="en">NO2 (2015)</issue-title><issue-title xml:lang="ru">№2 (2015)</issue-title><fpage>78</fpage><lpage>82</lpage><history><date date-type="received" iso-8601-date="2016-09-08"><day>08</day><month>09</month><year>2016</year></date></history><permissions><copyright-statement xml:lang="ru">Copyright ©; 2015, Дау Х.Ш., Тищенко Э.А., Буш А.А., Каменцев К.Е.</copyright-statement><copyright-year>2015</copyright-year><copyright-holder xml:lang="ru">Дау Х.Ш., Тищенко Э.А., Буш А.А., Каменцев К.Е.</copyright-holder><ali:free_to_read xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/"/><license><ali:license_ref xmlns:ali="http://www.niso.org/schemas/ali/1.0/">http://creativecommons.org/licenses/by/4.0</ali:license_ref></license></permissions><self-uri xlink:href="https://journals.rudn.ru/miph/article/view/8277">https://journals.rudn.ru/miph/article/view/8277</self-uri><abstract xml:lang="en">For the ﬁrst time, the single-domain (without twinning) crystals of LiCu                  2O                  2 were used to measure anisotropy of DC and AC conductivities along the principal crystal axes and low-frequency dynamics of charge transport in the temperature (4.2-295 K) and frequency (25-105 Hz) ranges. The temperature, frequency and ﬁeld properties of the DC and AC conductivities reﬂect the strong localization of charge carriers as result of a local lattice distortion due to the structural, compositional (extra oxygen content) defects and particularly electrical and magnetic polarization. Therefore the conductivity is by hopping transport between localized states near the Fermi level and its character (activated or variable-range hopping) depends on the temperature range and on relative direction to the crystal axes. The analysis of experimental data allows us to draw conclusions about the electronic energy structure near the Fermi level, about the anisotropic properties, low-frequency dynamics and mechanisms of charge transport.</abstract><trans-abstract xml:lang="ru">Впервые на монодоменных (не двойниковых) кристаллах LiCu                  2O                  2 измерена анизотропия вдоль главных кристаллических осей DC и AC проводимости и низкочастотная динамика зарядового транспорта в области температур от 4,2 до 295 К и звуковых частот от 25 Гц до 100 кГц. Характер комплексной проводимости отражает сильную автолокализацию носителей заряда, в которой принимает участие при Т &gt; 40 К не только решётка (диэлектрические поляроны), но и спиновая система после АФМ перехода при Т ≤ 24 К (спиновые поляроны). Механизм переноса заряда в основном прыжковый, но его характер зависит от температуры и направления относительно кристаллических осей. При повышении напряжения смещения в недопированных кристаллах комплексная проводимость очень чувствительна к инжекции через омический контакт носителей основного типа в решётку. Анизотропия DC и AC проводимости проявляется по всем главным кристаллическим направлениям. После обработки температурных и частотных зависимостей комплексной проводимости с использованием ряда моделей получены оценки активационных энергий и времён релаксаций для зарядового транспорта. На их основе сделаны выводы об электронной энергетической структуре вблизи уровня Ферми, механизмах зарядового транспорта и его низкочастотной динамики.</trans-abstract><kwd-group xml:lang="en"><kwd>anisotropy of conduction</kwd><kwd>small polaron</kwd><kwd>Debye type relaxation</kwd><kwd>hopping</kwd><kwd>strong localization</kwd></kwd-group><kwd-group xml:lang="ru"><kwd>анизотропия проводимости</kwd><kwd>малый полярон</kwd><kwd>дебаевская релаксация</kwd><kwd>прыжковая проводимость</kwd><kwd>автолокализация</kwd></kwd-group></article-meta></front><body></body><back><ref-list><ref id="B1"><label>1.</label><mixed-citation>The Structure of LiCu2O2 with Mixed-Valence Copper from Twin-Crystal Data / R. Berger, A. Meetsma, S. Smaalen et al. // J. Less-Common Metals. - 1991. - Vol. 175. - P. 119.</mixed-citation></ref><ref id="B2"><label>2.</label><mixed-citation>Spin Waves and Magnetic Interactions in LiCu2O2 / T. Masuda, A. Zheludev, B. Roessli et al. // Phys. Rev. B. - 2005. - Vol. 72. - P. 014405.</mixed-citation></ref><ref id="B3"><label>3.</label><mixed-citation>Буш А.А., Каменцев К.Е., Тищенко Э.А. Выращивание, термическая стабильность и электрические свойства монокристаллов фазы LiCu2O2 // Неорганические материалы. - 2004. - Т. 40, № 1. - С. 51-57.</mixed-citation></ref><ref id="B4"><label>4.</label><mixed-citation>Буш А.А., Каменцев К.Е. Электрическая неустойчивость кристаллов LiCu2O2 // Физика твёрдого тела. - 2004. - Т. 46, № 3. - С. 433-440.</mixed-citation></ref><ref id="B5"><label>5.</label><mixed-citation>Long A.R. Frequency-Dependent Loss in Amorphous Semiconductors // Adv. Phys. - 1982. - Vol. 31. - P. 553.</mixed-citation></ref><ref id="B6"><label>6.</label><mixed-citation>Electron Localization into a Bound Spin Polaron in the Quasi-One-Dimensional S=1/2 Antiferromagnet LiCu2O2 / V.G. Storchak, J.H. Brewer, D.J. Arseneau et al. // Phys. Rev. B. - 2009. - Vol. 79. - P. 220406(R).</mixed-citation></ref></ref-list></back></article>
